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可视化大规模 WSe2/BiFeO3 异质结构中的巨大铁电门控效应
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2022-11-17 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c02448 Raphaël Salazar 1 , Sara Varotto 2 , Céline Vergnaud 3 , Vincent Garcia 2 , Stéphane Fusil 2 , Julien Chaste 4 , Thomas Maroutian 4 , Alain Marty 3 , Frédéric Bonell 3 , Debora Pierucci 4 , Abdelkarim Ouerghi 4 , François Bertran 1 , Patrick Le Fèvre 1 , Matthieu Jamet 3 , Manuel Bibes 2 , Julien Rault 1
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2022-11-17 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c02448 Raphaël Salazar 1 , Sara Varotto 2 , Céline Vergnaud 3 , Vincent Garcia 2 , Stéphane Fusil 2 , Julien Chaste 4 , Thomas Maroutian 4 , Alain Marty 3 , Frédéric Bonell 3 , Debora Pierucci 4 , Abdelkarim Ouerghi 4 , François Bertran 1 , Patrick Le Fèvre 1 , Matthieu Jamet 3 , Manuel Bibes 2 , Julien Rault 1
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基于量子材料（复合氧化物、拓扑绝缘体、过渡金属二硫族化物等）的多层结构使设计的器件能够彻底改变微电子学和光电子学。然而，包含来自不同家族的量子材料的异质结构仍然很少，但它们将极大地拓宽可能的应用范围。在这里，我们展示了来自两个高度多功能家族的化合物的大规模整合：钙钛矿氧化物和过渡金属二硫化物（TMD）。我们将室温下的多铁氧化物 BiFeO 3和具有光伏和光子学潜力的半导体二维材料 WSe 2 结合起来。硒化钨2通过分子束外延生长并以厘米级转移到 BiFeO 3薄膜上。使用角分辨光电子能谱，我们可视化了 1 到 3 个单层 WSe 2的电子结构，并证明了由底层 BiFeO 3中的铁电极化方向引起的高达 0.75 eV 的巨大能量偏移。这种强烈的转变为通过邻近效应有效操纵 TMD 属性开辟了新的视角。
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更新日期：2022-11-17
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