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通过提高 OT 相变温度和晶体结构制备温度不敏感的 KNN 基陶瓷
Journal of Materiomics ( IF 8.4 ) Pub Date : 2022-11-15 , DOI: 10.1016/j.jmat.2022.10.008 Shuo Gao , Peng Li , Jiawei Qu , Mingze Sun , Jigong Hao , Peng Fu , Zhongbin Pan , Jiwei Zhai , Wei Li
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更新日期:2022-11-15
Journal of Materiomics ( IF 8.4 ) Pub Date : 2022-11-15 , DOI: 10.1016/j.jmat.2022.10.008 Shuo Gao , Peng Li , Jiawei Qu , Mingze Sun , Jigong Hao , Peng Fu , Zhongbin Pan , Jiwei Zhai , Wei Li
压电响应的较差温度稳定性是 KNN 基陶瓷的主要缺点。在这里,Ba 掺杂 0.97(K 0.48 Na 0.52 )(Nb 0.96 Sb 0.04 )O 3 -0.03Ba x (Bi 0.5 Ag 0.5 ) 1- x ZrO 3 (缩写为 KNNS-B x BAZ) 织构陶瓷由模板晶粒生长(TGG)法。KNNS -B x BAZ 织构陶瓷具有优异的综合性能 ( d 33 =(406 ± 15) pC/N, T C = 274 °C, 应变为 0.17%) = 0.2。同时,其压电和应变性能也表现出优异的温度稳定性(d 33在25°C至200°C的宽温度范围内保持±20%的变化,在室温至200°C的温度范围内应变变化小于5% 165℃)。高 OT 相变温度 ( T O-T是 110 °C) 通过掺入 Ba 离子引起压电性能的增强温度稳定性。此外,晶体织构在高温下始终保持压电各向异性对压电性能的贡献,显着提高了压电性能的温度稳定性。这项工作为在 KNN 基陶瓷中同时实现高压电响应和出色的温度稳定性提供了一种有效的策略。
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