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通过静电自组装用 HNO3 质子化的 C3N4 和 GO 衍生的 GOQD 构建完美、高效的异质结催化剂
Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects ( IF 4.9 ) Pub Date : 2022-11-11 , DOI: 10.1016/j.colsurfa.2022.130527
Youliang Nie , Rui Bao , Liang Liu , Jianhong Yi , Jingmei Tao , Deqi Min , Lecheng Li , Songlin Tan , Jinsong Wang , Zhengfu Zhang

为了提高光催化性能,正在开发具有碳纳米材料的氮化碳(C 3 N 4 )异质结。在这里,静电自组装方法用于创建 GOQD(氧化石墨烯量子点)/Hp-C 3 N 4(HNO 3质子化碳氮化物)异质结。通过使用氧化石墨烯 (GO) 的衍生物 GOQD,解决了分散性差和界面结合力弱的问题。GOQDs/Hp-C 3 N 4异质结的比表面积从7.445 m 2 /g增加到33.634 m 2 /g,价带势从2.016 eV增加到2.367 eV。GOQDs/Hp-C 3N 4可以产生更高水平的•OH和超氧自由基(•O 2 - )。与C 3 N 4、Hp-C 3 N 4和GO/ Hp-C 3 N 4相比,异质结在可见光下对污染物(MO)的降解效率分别提高了343倍、9倍和4倍. 我们的结果表明,源自 GO 的 GOQDs 具有更小的尺寸和更高的含氧官能团丰度,可以成为更好的助催化剂,用于与 C 3 N 4构建异质结以提高光催化性能。





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更新日期:2022-11-16
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