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双层 MoTe2 间 NO2 嵌入的计算研究
Applied Surface Science ( IF 6.3 ) Pub Date : 2022-11-08 , DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.155514
Maciej J. Szary

过渡金属二硫属化物 (TMD) 层作为化学传感器受到广泛关注,其灵敏度根据层数有选择地增强。这种影响与二氧化氮 (NO 2 ) 等物质的可能嵌入有关。然而,插层是否有助于甚至发生仍然是推测性的。因此,这项工作采用密度泛函理论 (DFT) 计算,研究了二碲化钼 (MoTe 2 ) 双层之间的 NO 2嵌入、其能量以及对电荷转移的影响。这些影响面临着氮分子 (N 2 ) 的嵌入和两种物质的等效吸附。结果表明,NO 的嵌入2可以在能量上有利4.0 分子/nm 2并且在低覆盖率下,分子-片层相互作用太弱而不能促进足够的层间膨胀,因此分子解离。相对于吸附,NO 2的解离和非解离嵌入分别将每分子电荷转移提高了 1110% 和 256%。因此,在所有有利的情况下,插层应显着增强系统的响应。此外,结果表明NO 2的抽空应该是可行的,允许MoTe 2回收。相反,N 2插层是不利的,说明了该过程的选择性。





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更新日期:2022-11-09
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