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Co3O4-CeO2 异质界面处的界面氧空位促进了在 O2 存在下 CO 对 NO 的催化还原
Applied Catalysis B: Environment and Energy ( IF 20.2 ) Pub Date : 2022-11-09 , DOI: 10.1016/j.apcatb.2022.122151
Shaomian Liu , Wenjuan Xue , Yongjun Ji , Wenqing Xu , Wenxing Chen , Lihua Jia , Tingyu Zhu , Ziyi Zhong , Guangwen Xu , Donghai Mei , Fabing Su

由于NO x和CO与O 2的竞争性反应,在含O 2条件下通过CO选择性催化还原NO (CO-SCR)同时提高NO x转化率和N 2选择性是非常具有挑战性的。在这里,我们证明了通过球磨诱导的应变在 Co 3 O 4 -CeO 2异质界面产生的界面氧空位 (IOV) 可以在100-400° 的温度范围内显着提高 NO x转化率和 N 2选择性。 C。Co 3 O 4 -CeO 2-IOV催化剂实现了大约100%的NO x转化率和100%的N 2选择性(200-350°C,1-5 vol% O 2和20,000 h -1);即使在10 vol% O 2下,它仍然表现出良好的催化性能。光谱分析和理论计算表明,与O 2活化相比,IOVs更有利于NO吸附和解离的限速步骤。这项工作提供了一种有效的策略,可以使用球磨诱导的界面应变在金属氧化物复合催化剂中创建 IOV,以提高 CO-SCR 性能。





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更新日期:2022-11-12
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