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轻松稳定地制造用于太阳能电池的具有 3D 纳米/微米混合结构的晶圆级超黑 c 硅

Nanoscale Advances ( IF 4.6 ) Pub Date : 2022-11-03 , DOI: 10.1039/d2na00637e
Xiaomeng Zhang 1, 2 , Yu Liu 1 , Chuhao Yao 1, 2 , Jiebin Niu 1 , Hailiang Li 1 , Changqing Xie 1
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三维(3D)硅(Si)纳米结构由于其优异的宽带和全向光收集特性而在太阳能电池中备受关注。然而,3D Si纳米结构的发展仍然受到结构复杂性和制造难度之间的权衡的困扰。在此,我们提出了一种简便且稳定的方法来制造具有纳米/微米混合结构的晶圆级超黑晶体硅(c-Si)。这种方法的显着优势在于,它允许在单轮工艺中形成 3D Si 纳米/微米混合结构,避免了传统工艺中所需的多次光刻、涂层和蚀刻的需要。我们制造的纳米/微米混合结构阵列在 600–1000 nm 波长范围内表现出 <1% 的低反射率,并在 AM 1.5 G 照明下吸收 400 至 1100 nm 可见光和近红外区域中 98.82% 的入射光。由纳米/微米混合3D结构阵列制成的太阳能电池与由单微柱阵列制成的太阳能电池相比,效率提高了约11.4%,在高性能光伏器件中具有潜在的应用前景。




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更新日期:2022-11-03
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