Mg 掺杂 p 型 MoS2/GaN 光电探测器中的电荷再分布,The Journal of Physical Chemistry C

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Mg 掺杂 p 型 MoS2/GaN 光电探测器中的电荷再分布
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2022-11-01 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.2c05895
Ben Cao _{1,

2} , Shufang Ma ₁ , Wenliang Wang ₂ , Xin Tang ₂ , Dou Wang ₁ , Weikang Shen ₁ , Bocang Qiu ₁ , Bingshe Xu ₁ , Guoqiang Li _{1,

2,

3}

Affiliation

具有增强的内置电场的MoS _{2 /GaN p-n 异质结光电探测器为纳米电子和纳米光电应用铺平了道路。}然而，由于p型MoS 2 的制备过程复杂且不稳定，p型MoS 2 /n型GaN p-n异质结构的实现_仍然_具有挑战性。在此，Mg掺杂的p型MoS ₂ /GaN p-n异质结通过电子束蒸发和化学气相沉积两步法合成。基于密度泛函理论的第一性原理计算表明，取代的镁原子会产生大量的空穴。与无意掺杂的器件相比，Mg掺杂的p型MoS ₂/GaN 异质结具有反向的内部电场，在 365 nm 和 2 V 下的响应度为 260 mA/W，并且响应速度快（在 365 nm 和 2 V 下的上升/下降时间 <20/20 ms）。因此，本研究提出了一种制备用于纳米电子和纳米光电器件的p 型 MoS _{2 /GaN 异质结的有效策略。}

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更新日期：2022-11-01

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