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用于混合纳米激光器的 InGaN/GaN 纳米棒阵列
ACS Applied Nano Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2022-11-02 , DOI: 10.1021/acsanm.2c03897
Di Jiang 1 , Penggang Li 2 , Bin Liu 3 , Kai Huang 2 , Tao Tao 3 , Ting Zhi 4 , Yu Yan 3 , Zili Xie 3 , Junyong Kang 2 , Youdou Zheng 3 , Rong Zhang 2
Affiliation  

小尺寸激光器在通信、光计算、检测、显示和光逻辑电路等众多应用中显示出巨大的潜力。在这项研究中,设计和制造了基于 InGaN/GaN 纳米棒的具有金属焊盘结构的混合等离子体纳米激光器,以研究激光模式和偏振调制。通过优化混合纳米激光器结构实现了表面等离子体模式的主导耦合,这显着增强了电场集中,导致超低阈值(~1.19 W cm –2) 等离子体多模激光。基于理论和实验结果,提出合适的等离子体结构参数可以提供波矢量匹配和相位补偿以形成强等离子体谐振器,从而为激光器产生低辐射损耗和高增益。这些用于混合纳米激光器的 InGaN/GaN 纳米棒阵列不仅为基于超低阈值纳米棒的等离子体激光器提供了解决方案,而且还倡导了纳米级阵列在发光和显示方面的更大潜力的前景。这些发现和理解为电驱动等离子体纳米激光器的发展提供了重要的见解,并可能有助于实现基于纳米激光器的显示阵列和下一代逻辑电路的光学片上集成。



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更新日期:2022-11-02
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