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BN-、BP-、AlN-和AlP-修饰的石墨烯纳米薄片的H2吸附和传感特性的比较DFT研究
Diamond and Related Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2022-10-29 , DOI: 10.1016/j.diamond.2022.109510
Sama Selseleh Zakeri , Morteza Rouhani , Zohreh Mirjafary

本研究采用DFT方法研究了BN、BP、AlN和AlP边缘掺杂石墨烯纳米片作为传感H 2分子的应用。计算中使用了 M06-2X/6-311G++(d,p) 理论水平。结果表明,H 2分子在BN、BP和AlN上的吸附非常弱(分别为-0.97、-0.16和-1.14 kcal.mol -1)。通过考虑H 2分子在-5.03 kcal.mol -1的AlP掺杂石墨烯上的可接受吸附,在该片材上进行了进一步的计算。吸附 H 2分子后,HOMO-LUMO 间隙 ( E g) 的 AlP 掺杂石墨烯纳米片从 2.01 略微下降到 1.92 eV。因此,AlP 掺杂的石墨烯片的电导率增加。此外,Δ H ad  = -3.38 kcal.mol -1和Δ G ad  = -1.38 kcal.mol -1表明H 2分子在AlP掺杂的石墨烯上的吸附在室温下是放热和自发现象。NCI-RDG 分析验证了 H 2分子与 AlP 掺杂的石墨烯之间是否存在 vdW 相互作用。最后,根据 4.65 ns 的极低恢复时间,AlP 掺杂的石墨烯可用作室温下有效且快速的 H 2分子传感器。





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更新日期:2022-11-03
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