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BiVO4 / Zn：BiVO4同质结用于水氧化的增强的光电化学性能
ChemCatChem ( IF 3.8 ) Pub Date : 2016-09-14 , DOI: 10.1002/cctc.201600767
Jinzhan Su 1 , Cong Liu 1 , Dongyu Liu 1 , Mingtao Li 1 , Jinglan Zhou 1
ChemCatChem ( IF 3.8 ) Pub Date : 2016-09-14 , DOI: 10.1002/cctc.201600767
Jinzhan Su 1 , Cong Liu 1 , Dongyu Liu 1 , Mingtao Li 1 , Jinglan Zhou 1
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钒酸铋是一种在可见光下用于光化学（PEC）水氧化的有前途的半导体。然而，其PEC性能受到其电子转移迁移率低的限制。在这项研究中，我们用Zn修饰了BiVO 4表面，以解决此问题。我们使用了ZnO涂层和蚀刻处理，通过取代Bi原子在BiVO 4的表面掺杂了Zn原子。表面Zn掺杂处理降低了BiVO 4（表面）的外部的费米能级，并形成了与BiVO 4（本体）的内部具有II型能带取向的BiVO 4 / Zn：BiVO 4同质结。通过这种同质结，BiVO 4耗尽区的电荷转移过程 改进了电极，避免了光生电子的表面俘获，从而提高了PEC性能。
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更新日期：2016-09-14
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