4英寸晶圆级单层MoSe2的化学气相沉积,Small Science

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4英寸晶圆级单层MoSe2的化学气相沉积
Small Science ( IF 11.1 ) Pub Date : 2022-09-20 , DOI: 10.1002/smsc.202200062
Jiawei Li _{1,

2,

3} , Shuopei Wang _{1,

2} , Lu Li _{2,

3} , Zheng Wei _{2,

3} , Qinqin Wang _{2,

3} , Huacong Sun _{2,

3} , Jinpeng Tian _{2,

3} , Yutuo Guo _{2,

3} , Jieying Liu _{2,

3} , Hua Yu _{1,

2} , Na Li _{1,

2} , Gen Long ₁ , Xuedong Bai _{2,

3} , Wei Yang _{2,

3} , Rong Yang _{2,

3} , Dongxia Shi _{2,

3} , Guangyu Zhang _{1,

2,

3}

Affiliation

2D 半导体过渡金属二硫化物 (TMD) 被认为是新兴电子和光电器件的有前途的构件。作为二维半导体的代表之一，单层MoSe ₂具有优异的电学和光学性能，近年来引起了广泛的研究兴趣。为了实现各种器件应用，大规模合成具有高晶体质量的单层 MoSe ₂至关重要，但仍然具有挑战性。在此，单层 MoSe _2的生长演示了通过化学气相沉积在 4 英寸晶圆级上的应用。基于多源设计和基板的垂直放置，实现了晶片级连续性和层厚度的均匀性，例如单层。这种生长技术也适用于其他二维半导体如WS ₂和MoS ₂的晶圆级生长。

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更新日期：2022-09-20

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