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基于具有改进平面性的茚并二噻吩 (IDTT) 共聚物的有机存储器件和突触模拟
Journal of Materials Chemistry C ( IF 5.7 ) Pub Date : 2022-10-14 , DOI: 10.1039/d2tc03484k
Zihao Feng 1 , Marc Comí 2 , Yi Ren 1 , Dušan Sredojević 2 , Salahuddin Attar 2 , Jiaqin Yang 3 , Zhanpeng Wang 1 , Ruo-Si Chen 3 , Su-Ting Han 3 , Mohammed Al-Hashimi 2 , Ye Zhou 1
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在存储器件中使用有机半导体具有分子可设计性和灵活性的优势。在此,我们通过与富电子噻吩 ( P1 ) 和两种缺电子共聚单体噻唑 ( P2 ) 和 4共聚,比较了三种基于茚并噻吩 (IDTT) 的 π-共轭聚合物, 4'-二十六烷氧基-5,5'-联噻唑 ( P3 )。共聚单体电子行为对热学、光学和电化学性质的影响进行了详尽的评估。P3的烷氧基取代基的作用通过计算计算研究了可能的非共价相互作用改善聚合物骨架的平面性,并通过增强的薄膜结晶度和形态特性得到证实。此外,我们构建了基于P1-P3的有机场效应晶体管 (OFET) 和三端存储器件。由于定义明确的改进平面性,P3 OFET 和P3闪存都获得了出色的性能,具有高迁移率和大内存窗口。常见的突触行为,包括不同脉冲持续时间和脉冲电压下的突触后电流以及重复的突触后电流调制,也使用我们的P3成功模拟突触晶体管。这项研究拓宽了基于 IDTT 的 π 共轭聚合物的应用范围,是未来信息存储技术和使用有机电子学进行神经形态计算的重要见解。



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更新日期:2022-10-14
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