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二维 NbSe2 和 NbS2 中的结构、电子相变和热自旋输运特性:第一性原理研究
Physical Chemistry Chemical Physics ( IF 2.9 ) Pub Date : 2022-10-13 , DOI: 10.1039/d2cp03417d
Yuqi Liu 1 , Yulin Feng 2 , Lei Hu 1 , Xuming Wu 3 , Shuang Qiao 4 , Guoying Gao 1
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如何有效地调谐二维电子和磁性是开发新型自旋电子材料和器件的关键。尽管已经在 2H NbSe 2和 NbS 2单层中研究了应变诱导的金属-半金属电子相变 (EPT) ,但尚未探索 1T 相、库仑相互作用和传输特性。在这里,我们结合非平衡格林函数使用第一性原理计算,对 NbSe 2和 NbS 2的应变调谐结构、电子、磁和热自旋输运特性进行了全面的比较研究具有和不具有库仑相互作用的单分子层。发现库仑相互作用使应变诱导的 2H 到 1T 结构相变更容易。与2H相类似,对于没有库仑相互作用的1T相也存在应变诱导的金属-半金属EPT,库仑相互作用使ETP更容易。值得注意的是,具有库仑相互作用的2H-NbSe 2单层是一种双极自旋无带隙半导体(SGS),新型狄拉克半金属和通常的SGS可以通过拉伸应变获得。此外,我们预测 2H-NbSe 2的双极 SGS 具有出色的自旋塞贝克效应和热自旋二极管效应具有库仑相互作用的单分子层,并期望在应变驱动的半金属中产生自旋过滤效应和高磁阻。我们还通过比较理论和可用的实验电子态来讨论库仑相互作用的强度,表明库仑相互作用的不可或缺性。这些结果表明,二维 NbSe 2和 NbS 2是相变自旋电子材料和器件的有前途的候选者,并将促进对此类二维系统的广泛研究。



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更新日期:2022-10-13
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