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插锡 MoS2 中原子金属-半导体界面的光电子学
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2022-10-12 , DOI: 10.1021/acsnano.2c07347 Avraham Twitto 1, 2 , Chen Stern 1, 2 , Michal Poplinger 1, 2 , Ilana Perelshtein 2 , Sabyasachi Saha 3, 4 , Akash Jain 5 , Kristie J Koski 6 , Francis Leonard Deepak 3 , Ashwin Ramasubramaniam 7 , Doron Naveh 1, 2
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2022-10-12 , DOI: 10.1021/acsnano.2c07347 Avraham Twitto 1, 2 , Chen Stern 1, 2 , Michal Poplinger 1, 2 , Ilana Perelshtein 2 , Sabyasachi Saha 3, 4 , Akash Jain 5 , Kristie J Koski 6 , Francis Leonard Deepak 3 , Ashwin Ramasubramaniam 7 , Doron Naveh 1, 2
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金属-半导体接口在现代电子产品中无处不在。这些量子限制界面允许形成原子级薄的可极化金属，并具有丰富的光学和光电现象，包括等离子体诱导的从金属到半导体的热电子转移。在这里，我们报告了在范德华层状材料MoS 2层之间插入零价锡 (Sn) 原子层期间形成的金属-半导体界面。我们证明了 Sn 相互作用导致 MoS 2内出现间隙状态带隙和对应的等离激元特征在 1 和 2 eV (0.6-1.2 μm) 之间。观察到的对光电导的刺激，以及光谱响应从可见光区向中红外区的延伸表明发生了热载流子产生和内部光发射。
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更新日期：2022-10-12
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