基于二维 （2D） 过渡金属硫化物 （TMD） 的范德华 （vdW） 异质结构在光学和电气器件中具有重要的技术意义。在本报告中，使用第一性原理计算，我们发现 vdW WS2/MoS2 异质结构中的诱导缺陷可用于改变电子结构和光催化性能。例如，当 S 或 Mo/W 缺陷以空位或吸附原子的形式掺入时，WS2/MoS2 异质结构的带隙会发生显着变化。此外，空位的存在改善了 WS2 和 MoS2 层之间的相互作用，从而促进了电荷转移和光学特性。此外，析氧反应 （OER） 研究表明，WS2/MoS2 异质结构中存在缺陷改善了整个 OER 过程。尽管 S 缺陷在热力学上更稳定，但掺入 Mo 缺陷会提高 OER 活性。例如，当 WS2/MoS2 中加入一个 Mo 空位时，观察到过电位 （ƞ = 1.48 V） 比干净的 WS2/MoS2 配置 （ƞ = 2.15 V） 显著降低。本研究详细探讨了各种缺陷在 2D WS2/MoS2 vdW 异质结构中的作用，可用于实现各种光学和电气应用的新特性。



"点击查看英文标题和摘要"