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在钴空位的 Co3O4 纳米阵列催化剂上将硝酸盐高效电化学还原为氨
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2022-10-05 , DOI: 10.1021/acsami.2c12772 Zhiqin Deng 1, 2 , Chaoqun Ma 3 , Zerong Li 2 , Yongsong Luo 2 , Longcheng Zhang 2 , Shengjun Sun 2 , Qian Liu 4 , Juan Du 1 , Qipeng Lu 3 , Baozhan Zheng 1, 5 , Xuping Sun 2, 6
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2022-10-05 , DOI: 10.1021/acsami.2c12772 Zhiqin Deng 1, 2 , Chaoqun Ma 3 , Zerong Li 2 , Yongsong Luo 2 , Longcheng Zhang 2 , Shengjun Sun 2 , Qian Liu 4 , Juan Du 1 , Qipeng Lu 3 , Baozhan Zheng 1, 5 , Xuping Sun 2, 6
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电催化硝酸盐还原反应（NO 3 RR）在无碳氨合成和缓解水中硝酸盐污染方面具有双功能特性。在这里，我们通过原位蚀刻铝掺杂的Co 3 O 4 /CC，在碳布上制备了具有钴空位的Co 3 O 4纳米片阵列（v Co -Co 3 O 4 /CC） ，其法拉第效率高达97.2。 % 和高达 517.5 μmol h –1 cm –2的大 NH 3产率，优于原始 Co 3 O 4/抄送。理论计算结果表明，钴空位可以调节Co 3 O 4的Co位点周围的局部电子环境，增加电荷并降低Co位点的电子云密度，从而有利于NO 3 -在Co位点上的吸附。大大加强了硝酸盐的还原。此外，v Co -Co 3 O 4 (311) 晶面表现出优异的 NO 3 RR 活性，在电位确定步骤中具有约 0.63 eV 的低能垒，远小于原始 Co 3 O 4 (1.3 eV) .
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更新日期：2022-10-05
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