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固态氮掺杂碳量子点发射增强的电化学控制
Nanoscale ( IF 5.8 ) Pub Date : 2022-10-05 , DOI: 10.1039/d2nr03691f
Yihuai Huang 1 , Bo Huang 1 , Huichao Zhang 1 , Xinmiao Lu 1 , Yu Zhang 1 , Xiumin Gao 2 , Songlin Zhuang 2
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由于其优异的光学和电学性能,掺杂碳量子点(CQD)有望用于新型薄膜光电器件,如发光二极管和太阳能电池。然而,这些设备的进步目前受到固态薄膜中掺杂 CQD 难以捉摸的光物理过程的阻碍。在这里,使用光谱电化学 (SEC) 方法研究了氮掺杂 CQD (N-CQD) 薄膜的光学特性。观察到独特的光致发光 (PL) 增强现象,其中 N-CQD 薄膜的 PL 强度可以在正电化学电位扫描和负电化学电位扫描中增加。正电位对 PL 增强的影响更大(+1.4 V 时~340%),而负电位的作用稍弱(-1.4 V 时~10%)。据我们所知,以往SEC对各种QD的研究都没有报道过类似的增亮过程,其中发射强度最多只能在正电位或负电位下表现出增强。我们提出上述PL增亮与电化学电荷注入后π-π堆积效应减弱有关,氮掺杂在其中起着至关重要的作用。最后,通过用氩气鼓泡增加电解质流动性以减少局部电荷聚集,可以实现 PL 光谱的低滞后可逆电化学调节。我们提出上述PL增亮与电化学电荷注入后π-π堆积效应减弱有关,氮掺杂在其中起着至关重要的作用。最后,通过用氩气鼓泡增加电解质流动性以减少局部电荷聚集,可以实现 PL 光谱的低滞后可逆电化学调节。我们提出上述PL增亮与电化学电荷注入后π-π堆积效应减弱有关,氮掺杂在其中起着至关重要的作用。最后,通过用氩气鼓泡增加电解质流动性以减少局部电荷聚集,可以实现 PL 光谱的低滞后可逆电化学调节。



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更新日期:2022-10-05
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