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改性 SiC/SiC 复合材料在 1200 ℃的氧化行为
Journal of Materials Engineering and Performance ( IF 2.2 ) Pub Date : 2022-09-29 , DOI: 10.1007/s11665-022-07419-7
Enze Jin , Hongrui Liu , Xiaodong Gong , Denghao Ma , Zhifeng Dai , Zhen Zhang , Botao Han , Min Mei , Jinming Fang , Wenting Sun , Yumei Li , Jiajia Zhang , Zeshuai Yuan , Jinming Wang , Zhihai Feng , Junping Li

为了提高 SiC/SiC 复合材料的抗氧化性,采用 PIP 法,使用聚硼硅氮烷和/或聚碳硅烷前驱体制备了 4 种改性 SiC/SiC 复合材料。PIP过程中聚硼硅氮烷和聚碳硅烷前驱体的使用顺序对影响复合材料的抗氧化性起着关键作用。SiC/SiBCN-SiC 复合材料具有最高的抗氧化性。SiBCN基体外的SiC基体可有效抑制液态B 2 O 3在1200℃下的挥发。液体 B 2 O 3在氧化过程中填充基体的微裂纹,防止进一步的氧化损伤。SiC/SiBCN 和 SiC/SiC-SiBCN 复合材料基体中的微裂纹由于液态 B 2 O 3在 1200 ℃下的挥发而无法被封闭,导致复合材料的氧化损伤程度更高。





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更新日期:2022-10-01
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