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扭曲的 WS2/WS2 同质结构超晶格中层间耦合和莫尔激子的证据
Nano Research ( IF 9.5 ) Pub Date : 2022-09-27 , DOI: 10.1007/s12274-022-4964-4 Haihong Zheng , Biao Wu , Shaofei Li , Jun He , Keqiu Chen , Zongwen Liu , Yanping Liu
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更新日期:2022-09-29
Nano Research ( IF 9.5 ) Pub Date : 2022-09-27 , DOI: 10.1007/s12274-022-4964-4 Haihong Zheng , Biao Wu , Shaofei Li , Jun He , Keqiu Chen , Zongwen Liu , Yanping Liu
扭曲范德华 (vdW) 同质结构中莫尔超晶格的形成为设计二维 (2D) 材料的电子能带结构提供了一个多功能平台。在石墨烯和过渡金属二硫化物 (TMDs) 莫尔系统中,扭曲角已被证明是调节莫尔超晶格的关键参数。然而,扭曲角调制对莫尔电位和层间耦合的影响尚未成为实验研究的主题。在这里,我们报告了对 WS 2 /WS 2中莫尔电位和层内激子的调制的观察。同构。通过精确调节同质双层的扭转角,可以调节莫尔电位的深度。通过温度和谷极化的变化进一步证明了莫尔电位对层内激子的限制作用。此外,我们展示了通过低频拉曼映射检测原子重建以在大规模上绘制莫尔晶格中的不均匀性,这赋予了层间耦合的均匀性。我们的研究结果为深入理解扭曲范德华同质结构中莫尔激子的行为提供了见解,并促进了电气工程和拓扑光子学的研究。
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