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具有高结构稳定性的 δ-二氧化锰的氧空位再填充和钾离子插层,朝向 2.3 V 高压不对称超级电容器
Journal of Colloid and Interface Science ( IF 9.4 ) Pub Date : 2022-09-27 , DOI: 10.1016/j.jcis.2022.09.119
Jingli Zhao 1 , Xuesong Liu 1 , Peng Liu 1 , Kuan Deng 1 , Xingbin Lv 2 , Wen Tian 1 , Caihong Wang 1 , Shuai Tan 1 , Junyi Ji 3
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过渡金属基电极的氧空位占用和配位环境调制是提高结构稳定性和电化学性能的有效策略。在这项工作中,通过一种简单的方法 (MI-MnO2-x/CC) 制备了锚定在碳布 (CC) 上的 2-甲基咪唑 (2-MI) 掺杂二氧化锰 (MnO2),其中 K+ 掺杂 δ-MnO2 纳米片上/内部的氧缺陷由还原乙醇/Mn2+ 原位产生并被 2-MI 配体占据。通过预嵌入的 K+ 离子和丰富的配体再填充缺陷,可以有效增强电子配位结构、结构稳定性和电子/离子扩散效率。因此,MI-MnO2-x/CC 在 1.3 V 工作电位窗口下显示出 721.2 mF cm-2 的显着比电容,具有出色的循环耐久性(10,000 次循环后电容保持率为 93.4%)。此外,由 MI-MnO2-x/CC 和活化机械剥离氧化石墨烯组装的非对称超级电容器在 2.3 V 下产生 57.0 Wh kg-1 的最大能量密度和 23.0 kW kg-1 的最高功率密度。这种通过配体再填充实现的有效氧缺陷稳定策略可以扩展到各种基于金属氧化物的电极,用于能量存储和转换。
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