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在中等退火温度下生长具有更高电磁干扰屏蔽的磁性石墨烯薄膜
Journal of Materials Science: Materials in Electronics ( IF 2.8 ) Pub Date : 2022-09-22 , DOI: 10.1007/s10854-022-09136-2
Wei Liu , Kun Jia , Donghong Wang , Xuehong Wei , Peng Wang , Kai Zheng
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更新日期:2022-09-22
Journal of Materials Science: Materials in Electronics ( IF 2.8 ) Pub Date : 2022-09-22 , DOI: 10.1007/s10854-022-09136-2
Wei Liu , Kun Jia , Donghong Wang , Xuehong Wei , Peng Wang , Kai Zheng
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超薄、高导电和独立的石墨烯薄膜已被视为用于便携式电子设备的有前途的电磁干扰 (EMI) 屏蔽材料。但是,它们仍然很昂贵。在本文中,通过原位湿化学合成和催化石墨化制备了装饰有Fe 3 O 4纳米颗粒的磁性石墨烯薄膜。在引入Fe 3 O 4纳米颗粒后,在中等退火温度(1000°C)下获得了石墨结构。该温度远低于常规的石墨化温度,降低了石墨烯薄膜的合成成本。此外,Fe 3 O 4还可以作为微波吸收剂,增强 EMI 屏蔽性能。得到的超薄膜 (~ 50 μm) 在 X 波段 (8.2-12.4 GHz) 中提供了 ~ 52.76 dB 的高 EMI 屏蔽效率 (SE)。发现这高于在相同温度下制备的裸石墨烯薄膜(~33.45 dB),足以屏蔽约 99.999% 的微波辐射。此外,由于Fe 3 O 4纳米粒子的贡献,吸收是制备薄膜的主要屏蔽机制,减少了二次反射造成的电磁污染。催化石墨化策略可以为制造用于便携式电子设备应用的高效石墨烯基 EMI 屏蔽材料提供一种低成本的方法。
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