通过顺序原子层沉积和旋涂方法大面积生长 MoS2/WS2 异质结构,Advanced Materials Interfaces

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通过顺序原子层沉积和旋涂方法大面积生长 MoS2/WS2 异质结构
Advanced Materials Interfaces ( IF 4.3 ) Pub Date : 2022-09-20 , DOI: 10.1002/admi.202200816
Devendra Pareek ₁ , Marco A. Gonzalez ₁ , Nedal Grewo ₁ , Marten L. Janßen ₁ , Kumarahgiri Arunakiri ₁ , Kayode Luqman Alimi ₁ , Martin Silies _{2,

3} , Jürgen Parisi ₁ , Levent Gütay ₁ , Sascha Schäfer ₁

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尽管在二维过渡金属二硫属化物 (2D-TMDC) 薄片的异质结构堆叠中观察到了大量有趣的现象，但由于缺乏可靠的大面积异质结构生长方法，它们在功能器件中的应用仍然受到阻碍。_{在这里，通过结合单层 MoS 2}的原子层沉积和基于溶液的超薄 WS ₂处理来获得生长的过渡金属二硫属化物异质结构的可扩展工艺被呈现。使用拉曼和光致发光光谱以及光束感应电流测量，将单个 TMDC 层和异质结构的空间均匀光学和电学特性证明到微米长度尺度。_{观察到横向 MoS 2} -MoS ₂ /WS ₂异质结构的光生电流增强，证明了该方法适用于制备功能器件。

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更新日期：2022-09-20

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