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分子动力学模拟低能高通量氘辐照钨中气泡的演化
Applied Surface Science ( IF 6.3 ) Pub Date : 2022-09-13 , DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.154715
Yuan Xiang , Bin Zhang , Liqun Shi

使用分子动力学模拟,Tersoff 电位用于研究钨 (W) 中氘 (D) 气泡的演变。这项工作记录了 D 气泡的整个演化过程:形成、增长和破裂。讨论了D的通量、温度和入射能量对D气泡演化和位置的影响。温度和通量共同影响 D 气泡形成所需的时间,而能量对深度有显着影响。在 300 K 时,单晶钨表面 (0  0  1)、(1  1  0)、(1  1  1) 和 (1  1 2) 被具有 80 eV 能量和 6.24 × 10 28 m -2 的 D 原子轰击s -1通量。尽管所有 D 气泡都经过三个阶段,但气泡内的压力、体积和 (D in D 2 )/D 的比值可以分辨出四个表面之间的差异。在相同的模拟条件下,发现具有较高晶面密度的表面下D气泡的演化更难。





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更新日期:2022-09-13
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