利用分子动力学模拟，利用特尔索夫电位研究钨 （W） 中氘 （D） 气泡的演变。这项工作记录了 D 气泡的整个演变过程：形成、增长和破裂。讨论了 D 的磁通量、温度和入射能量对 D 气泡演化和位置的影响。温度和磁通量共同影响 D 气泡形成所需的时间，而能量对深度有显着影响。在 300 K 时，单晶钨表面 （001）、（110）、（111） 和 （112） 被具有 80 eV 能量和 6.24 × 1028 m-2s-1 通量的 D 原子轰击。尽管所有 D 气泡都经历三个阶段，但气泡内的压力、体积和（D in D2）/D 的比率可以判断四个表面之间的差异。在相同的模拟条件下，发现 D 气泡在具有较高晶面密度的表面下的演化更加困难。



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