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基于CsCu2I3的低阈值电压和高空气稳定性的灵活阈值开关
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2022-09-13 , DOI: 10.1021/acsami.2c09904
Fengchang Huang 1, 2 , Shuaipeng Ge 2, 3 , Ruilai Wei 1, 2 , Jiaqi He 2, 4 , Xiaole Ma 1, 2 , Juan Tao 2, 3 , Qiuchun Lu 1, 2 , Xiaoming Mo 1 , Chunfeng Wang 2, 3 , Caofeng Pan 2, 4
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具有显着光电特性的卤化物钙钛矿在阈值开关器件 (TSD) 方面具有巨大潜力,这些器件对下一代忆阻器和神经形态计算机至关重要。然而,由于高阈值电压、稳定性差和含铅特性等未解决的挑战,此类器件仍处于起步阶段。在此,展示了基于 CsCu 2 I 3的全无机卤化物钙钛矿的单极 TSD ,具有 0.54 V 的低阈值电压、10 4的高 ON/OFF 比、70 天以上的稳健空气稳定性的迷人特性,6.2 mV·decade –1的陡峭开关斜率,和无铅成分。此外,利用紫外线照射可以进一步降低阈值电压至0.23 V,以减少碘离子迁移的障碍。多级阈值开关行为可以通过顺从电流或扫描速率的调制来实现。还展示了具有机械顺应性和透明度的 TSD。这项工作通过扩展的钙钛矿材料丰富了 TSD,促进了这一新兴器件系列的相关应用。



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更新日期:2022-09-13
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