我们报告了 Cu(2)O 纳米立方体和八面体的高度依赖于面的电特性，以及金纳米晶核对 Au-Cu(2)O 核壳八面体的导电性的显着增强。Cu(2)O 纳米立方体和八面体以及 Au-Cu(2)O 核壳立方体和八面体是按照我们报告的简便程序在室温下合成的。连接到安装在扫描电子显微镜内的纳米操纵器的两个无氧化物钨探针与单个 Cu(2)O 纳米晶体接触，以进行 IV 测量。由 {111} 面包围的原始 Cu(2)O 八面体的导电性是由 {100} 面包围的原始 Cu(2)O 立方体的 1100 倍，后者几乎不导电。核壳立方体的导电性仅比原始立方体略高。一个 10, 八面体的电导率在立方体上增加了 000 倍。值得注意的是，核壳八面体比原始八面体的导电性要好得多。在暴露 {111} 和 {100} 面的单个纳米晶体上仍然可以观察到相同的面相关电行为。这种新的基本特性可以在其他半导体纳米晶体中观察到。我们还表明，核壳立方体和八面体在甲基橙的光降解方面都优于原始立方体和八面体。有效的光诱导电荷分离归因于这种增强的光催化活性。有趣的是，在光催化过程中，刻面选择性蚀刻发生在一些八面体和核壳八面体的 {100} 角上。



"点击查看英文标题和摘要"