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基于屏蔽效应的REBCO高温超导(HTS)线圈数值分析
Journal of Superconductivity and Novel Magnetism ( IF 1.6 ) Pub Date : 2022-09-12 , DOI: 10.1007/s10948-022-06392-5
Shijie Shi , Rui Liang

REBa 2 Cu 3 O x具有高临界温度、高临界电流密度和较好机械性能的(REBCO)胶带已在各行业投入使用。尽管如此,其复杂的各向异性和由屏蔽电流引起的“误差场”仍然是商业应用的挑战。本文首先探讨了有无铁磁衬底对超导复合带交流损耗的影响。发现上下超导带#1和#3对中间超导带#2具有屏蔽作用。然后,基于各向异性均质化技术对REBCO高场线圈进行等效,计算等效REBCO高场线圈的电磁场分布特性、交流损耗和洛伦兹力。通过研究中心磁场的性能特性,发现屏蔽电流对线圈的中心磁场和临界电流密度有影响。此外,屏蔽电流感应的磁场最大可以达到 0.8 T,这导致 REBCO 高场线圈中心的“误差场”为 7.8%。同时,屏蔽电流也降低了线圈顶部和底部的临界电流密度。最后,研究了满充电状态下不同工程匝数电流密度和径向洛伦兹力的分布规律。结果证明,屏蔽电流产生的洛伦兹力大约是非屏蔽电流(铜线圈)的2.7倍。发现屏蔽电流对线圈的中心磁场和临界电流密度有影响。此外,屏蔽电流感应的磁场最大可以达到 0.8 T,这导致 REBCO 高场线圈中心的“误差场”为 7.8%。同时,屏蔽电流也降低了线圈顶部和底部的临界电流密度。最后,研究了满充电状态下不同工程匝数电流密度和径向洛伦兹力的分布规律。结果证明,屏蔽电流产生的洛伦兹力大约是非屏蔽电流(铜线圈)的2.7倍。发现屏蔽电流对线圈的中心磁场和临界电流密度有影响。此外,屏蔽电流感应的磁场最大可以达到 0.8 T,这导致 REBCO 高场线圈中心的“误差场”为 7.8%。同时,屏蔽电流也降低了线圈顶部和底部的临界电流密度。最后,研究了满充电状态下不同工程匝数电流密度和径向洛伦兹力的分布规律。结果证明,屏蔽电流产生的洛伦兹力大约是非屏蔽电流(铜线圈)的2.7倍。屏蔽电流感应的磁场最大可以达到 0.8 T,这导致 REBCO 高磁场线圈中心有 7.8% 的“误差场”。同时,屏蔽电流也降低了线圈顶部和底部的临界电流密度。最后,研究了满充电状态下不同工程匝数电流密度和径向洛伦兹力的分布规律。结果证明,屏蔽电流产生的洛伦兹力大约是非屏蔽电流(铜线圈)的2.7倍。屏蔽电流感应的磁场最大可以达到 0.8 T,这导致 REBCO 高磁场线圈中心有 7.8% 的“误差场”。同时,屏蔽电流也降低了线圈顶部和底部的临界电流密度。最后,研究了满充电状态下不同工程匝数电流密度和径向洛伦兹力的分布规律。结果证明,屏蔽电流产生的洛伦兹力大约是非屏蔽电流(铜线圈)的2.7倍。最后,研究了满充电状态下不同工程匝数电流密度和径向洛伦兹力的分布规律。结果证明,屏蔽电流产生的洛伦兹力大约是非屏蔽电流(铜线圈)的2.7倍。最后,研究了满充电状态下不同工程匝数电流密度和径向洛伦兹力的分布规律。结果证明,屏蔽电流产生的洛伦兹力大约是非屏蔽电流(铜线圈)的2.7倍。





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更新日期:2022-09-13
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