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随着多晶 BiFeO3 中场幅的增加,晶格应变降低
Acta Materialia ( IF 8.3 ) Pub Date : 2022-09-01 , DOI: 10.1016/j.actamat.2022.118319
Lisha Liu , Tadej Rojac , Dragan Damjanovic , Jing-Feng Li , Marco Di Michiel , John Daniels

作为压电材料中的动态界面,畴壁可以极大地影响施加的外部场下的功能。最近,已发现导电畴壁在多晶BiFeO 3中导致晶格应变的类麦克斯韦-瓦格纳(MW)分散和铁弹性畴壁运动作为场频率的函数。在这里,我们揭示了场循环期间铁弹性畴壁运动和晶格应变的异常场相关行为。这种响应主要由铁弹性畴壁运动的常见非线性增加和随着场幅度增加晶格应变的不寻常非线性减少所支配。使用分析建模,多晶 BiFeO 3的这种复杂的场依赖行为由伴随畴壁运动产生的相反场来解释。相对场的两个贡献者是电荷积累和沿导电畴壁的移动以及相邻晶粒之间的弹性耦合。





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更新日期:2022-09-01
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