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缺陷 Co3O4 纳米片析氧反应中 Co4+ 中间体的原位/操作软 X 射线光谱鉴定
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2022-09-01 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.2c01557
Yu-Cheng Huang, Wei Chen, Zhaohui Xiao, Zhiwei Hu, Ying-Rui Lu, Jeng-Lung Chen, Chi-Liang Chen, Hong-Ji Lin, Chien-Te Chen, K. Thanigai Arul, Shuangyin Wang, Chung-Li Dong, Wu-Ching Chou

缺陷工程是提高Co 3 O 4电催化剂在析氧反应(OER)中电化学性能的重要手段。本研究首次利用原位软X射线吸收光谱(SXAS)探索OER下Co 3 O 4电子结构。富缺陷的 Co 3 O 4 (D-Co 3 O 4 ) 具有 Co 2.45+态,Co 2+在八面体 (O h ) 和四面体 (T d ) 位置,Co 3+在 O h,而 Co 3O 4在T d和O h位点分别具有Co 2.6+和Co 2+和Co 3+ 。SXAS揭示,随着电压的升高,D-Co 3 O 4中的Co 2+转化为低自旋Co 3+,其中一部分进一步转化为低自旋Co 4+;Co 3 O 4中的大部分Co 2+转化为Co 3+,但很少转化为Co 4+。当电压关闭时,Co 4+中间体迅速消失。这些发现揭示了 Co(O h)在操作条件下, D-Co 3 O 4可以迅速转化为活性低自旋Co 4+ ,这是非原位XAS无法观察到的。



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更新日期:2022-09-01
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