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局部应变和隧道电流调制 MoS2 单层中的激子发光
RSC Advances ( IF 3.9 ) Pub Date : 2022-09-01 , DOI: 10.1039/d2ra05123k
Yalan Ma 1 , Romana Alice Kalt 1 , Andreas Stemmer 1
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通过扫描隧道显微镜 (STM) 研究了金基底上单层二硫化钼 (MoS 2 ) 的激子发光。 MoS 2的 STM 诱导光发射 (STM-LE) 归因于A和B激子的辐射衰变。 A和B激子发射的强度比由隧道电流调制，因为A激子发射强度在高隧道电流下饱和。此外，波纹金基板向单层MoS 2引入局部应变，导致电子带隙和价带分裂发生显着变化。 A激子能量的应变调制率估计为 -69 ± 5 meV/%。 STM-LE 提供了 10 nm 长度范围内单层 MoS 2中激子能量和局部应变之间的直接联系。
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