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具有大垂直磁各向异性的二维范德华 Fe3GaTe2 中的室温以上强本征铁磁性
Nature Communications ( IF 14.7 ) Pub Date : 2022-08-29 , DOI: 10.1038/s41467-022-32605-5 Gaojie Zhang 1, 2 , Fei Guo 3 , Hao Wu 1, 2 , Xiaokun Wen 1, 2 , Li Yang 1, 2 , Wen Jin 1, 2 , Wenfeng Zhang 1, 2, 4 , Haixin Chang 1, 2, 3, 4
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更新日期:2022-08-29
Nature Communications ( IF 14.7 ) Pub Date : 2022-08-29 , DOI: 10.1038/s41467-022-32605-5 Gaojie Zhang 1, 2 , Fei Guo 3 , Hao Wu 1, 2 , Xiaokun Wen 1, 2 , Li Yang 1, 2 , Wen Jin 1, 2 , Wenfeng Zhang 1, 2, 4 , Haixin Chang 1, 2, 3, 4
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缺乏具有高于室温的强本征铁磁性和大的垂直磁各向异性(PMA)的二维(2D)范德华(vdW)铁磁晶体严重阻碍了二维vdW晶体在下一代低功耗中的实际应用磁电子和自旋电子器件。在这里,我们报告了一种 vdW 本征铁磁晶体 Fe 3 GaTe 2,对于已知的 2D vdW 本征铁磁体,该晶体具有创纪录的高于室温的居里温度(Tc,~350-380 K),高饱和磁矩(40.11 emu/g ), PMA 能量密度大 (~4.79 × 10 5 J/m 3),以及室温下的大异常霍尔角 (3%)。如此大的室温 PMA 优于传统的广泛使用的铁磁薄膜(如 CoFeB),并且比已知的 2D vdW 本征铁磁体大一个数量级。已经实现了基于Fe 3 GaTe 2纳米片的室温厚度和角度相关的反常霍尔器件和直接磁畴成像。这项工作为室温二维铁磁性、二维铁磁性的电控制提供了一条途径,并促进了二维-vdW集成自旋电子器件的实际应用。
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