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磁控溅射制备N掺杂Ga2O3薄膜顶层及其性能
Applied Surface Science ( IF 6.3 ) Pub Date : 2022-08-27 , DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.154666
Ning Zhang , Yongsheng Wang , Zihao Chen , Bin Zhou , Jie Gao , Yanxia Wu , Yong Ma , Hongjun Hei , Shengwang Yu

通过RF磁控溅射制备具有顶层氮(N)掺杂的β - Ga 2 O 3薄膜。N掺杂顶层β - Ga 2 O 3参数(如氮气流速和退火气氛)、微观结构、光学性质的关系采用XRD、XPS、SEM、UV-VIS和PL对薄膜进行了研究。发现薄膜的晶体质量与N含量和退火气氛有关。薄膜表面光滑,平均粗糙度约为 2 nm。目前的薄膜在可见光区域内具有超过 85% 的高透射率,但带隙减小。所有这些薄膜都在 250 nm 的入射光下发射紫外光。此外,通过添加N元素,费米能级向价带移动,导致p型掺杂特性。





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更新日期:2022-08-28
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