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揭示 CuInP2S6–In4/3P2S6 异质界面处的快速铜离子传输和增强的电导率
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2022-08-23 , DOI: 10.1021/acsnano.2c06992 Marti Checa 1 , Xin Jin 2, 3 , Ruben Millan-Solsona 4, 5 , Sabine M Neumayer 1 , Michael A Susner 6 , Michael A McGuire 7 , Andrew O'Hara 2 , Gabriel Gomila 4, 5 , Petro Maksymovych 1 , Sokrates T Pantelides 2, 8 , Liam Collins 1
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2022-08-23 , DOI: 10.1021/acsnano.2c06992 Marti Checa 1 , Xin Jin 2, 3 , Ruben Millan-Solsona 4, 5 , Sabine M Neumayer 1 , Michael A Susner 6 , Michael A McGuire 7 , Andrew O'Hara 2 , Gabriel Gomila 4, 5 , Petro Maksymovych 1 , Sokrates T Pantelides 2, 8 , Liam Collins 1
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范德华分层铁电体，例如 CuInP 2 S 6 (CIPS)，为铁电器件技术的小型化提供了一个多功能平台。控制 CIPS 合成的目标组成和动力学能够形成铁电 CIPS 和非铁电 In 4/3 P 2 S 6的稳定自组装异质结构（IPS）。在这里，我们使用定量扫描探针显微镜方法结合密度泛函理论 (DFT) 来详细探索 CIPS-IPS 异质结构的动态功能特性的纳米级可变性。我们报告了快速离子传输的证据，它介导了顺电相中 CIPS 表面的显着平面外机电响应。此外，当我们热刺激铁电 - 顺电相变时，我们绘制了纳米级介电和离子电导率特性，恢复了该相变期间的局部介电行为。最后，在 DFT 的帮助下，我们揭示了 CIPS/IPS 界面处显着且可调节的电导率增强，表明为下一代器件应用设计其界面特性的可能性。
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更新日期：2022-08-23
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