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1S1R直接堆叠的高均匀性和稳定性，适用于高密度交叉点存储器应用
Rare Metals ( IF 9.6 ) Pub Date : 2022-08-20 , DOI: 10.1007/s12598-022-02062-6 Zhi-Ying Yu , Jia-Yi Zhao , Guo-Kun Ma , Ao Chen , Da-Lei Chen , Yi-Heng Rao , Hao Wang
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更新日期：2022-08-20
Rare Metals ( IF 9.6 ) Pub Date : 2022-08-20 , DOI: 10.1007/s12598-022-02062-6 Zhi-Ying Yu , Jia-Yi Zhao , Guo-Kun Ma , Ao Chen , Da-Lei Chen , Yi-Heng Rao , Hao Wang
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在这封信中，Ti掺杂NbO x基选择器应用于SiNO x基电阻随机存取存储器（RRAM），形成了Pt/NbO x（Ti掺杂）/SiNO x /Ti one selector-one RRAM器件（1S1R），以抑制潜行路径电流。制造的 1S1R 表现出稳定的直流 (DC) 耐久性（> 200 次循环）、合适的存储窗口（> 40）、匹配的选择性（> 40）和开关参数的高度均匀性。1S1R阵列的容量大约是RRAM的1000倍。更重要的是，1S1R中没有中间金属，这使得它可以用于三维（3D）垂直RRAM交叉阵列。这项工作有助于实现高密度交叉点 1S1R 存储器应用。
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