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用于穿颅小鼠脑成像的多层纳米探针中的表面等离子体增强 NIR-II 荧光
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2022-08-17 , DOI: 10.1021/acsami.2c11218
Lan Peng 1 , Ye Liu 1 , Jing Zhang 1 , Zhe Zhang 1 , Zhihe Liu 1 , Xiaofeng Fang 1 , Yingjie Wang 2 , Changfeng Wu 1
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第二近红外窗口(NIR-II,1000-1700 nm)中的荧光成像对于准确显示体内深层生物结构具有巨大潜力. 然而,当前 NIR-II 荧光团的弱荧光仍然是对不断增长的成像需求的长期挑战。在这里,我们通过将二氧化硅涂层的金纳米棒 (GNR) 和聚合物点 (Pdots) 结合到多层纳米结构中来描述表面等离子体增强 NIR-II 荧光策略。精确控制二氧化硅间隔层厚度意味着最佳距离为 8.6 nm,其中在 NIR-II 成像窗口中实现了高达 6.4 的增强因子。表面等离子体增强方法已成功扩展到具有 NIR-II 发射的几种类型的 Pdots 荧光团。我们最终对多层探针进行了外层封装和聚乙二醇化,并展示了表面等离子增强 NIR-II 荧光,用于通过颅骨进行小鼠大脑成像,



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更新日期:2022-08-17
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