当前位置: X-MOL 学术Appl. Nanosci. › 论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
通过互补正电子学和 XRD 分析表征聚乙烯吡咯烷酮纳米玻璃状砷硒化物
Applied Nanoscience Pub Date : 2022-08-04 , DOI: 10.1007/s13204-022-02581-9
Yaroslav Shpotyuk , Adam Ingram , Oleh Shpotyuk , Pavlo Demchenko , Zdenka Lukáčová Bujňáková , Peter Baláž

使用Positronics 研究了在聚乙烯吡咯烷酮 (PVP) 水溶液中进行湿纳米研磨的玻璃状砷化物 g-As x Se 100-x (5 ≤  x ≤ 65) 中的纳米结构化效应,Positronics是一种先进的表征工具,可追踪固体中的自由体积实体基于正电子湮没寿命(PAL)光谱。由于 XRD 分析根据改进的微晶方法识别了 PVP 纳米级 g-As-Se 中中等范围有序的微观结构特性,因此对结果进行了直接的解释。纳米研磨在具有网络结构的低于化学计量的 g-As x Se 100-x (x < 40) 中被证明是无效的,而导致由于分子到网络的转变,过度化学计量玻璃 (x > 40) 的再结晶。在无约束的三分量拟合下重建的 PAL 光谱的组成变化在低于化学计量的 g-As x Se 100-x /PVP 纳米复合材料 ( x  < 40) 中显示,在位置不变的 PAL 光谱峰中显示出抑制趋势,并辅以广泛扩展由累积的长寿命湮灭事件组成的尾巴。这些变化仅在过度化学计量的纳米复合材料中被抑制(x > 40)。两态简单俘获模型的初步分析证明,正电子俘获发生在 g-As-Se 的本征空洞中,扩大到多原子空位的特征体积,而束缚的正电子(正电子,Ps)态在 PVP 介质中衰减。× 3- × 2-CDA(耦合分解算法)的形式描述了 Ps 相关状态到正电子陷阱的转换,用于识别纳米复合材料中相对于化学计量 g-As 2 Se 3 /PVP 的体积变化。低于化学计量的纳米复合材料 (x < 40) 的控制过程被认为是统一的正电子到 Ps 俘获转换,消失的正电子俘获是 PVP 纳米空位特征到 g-As-Se。然而,在过度化学计量的纳米复合材料(x > 40)中没有单独的捕获修饰过程来控制这种效应,具有主要不同捕获位点的分子网络结构。





"点击查看英文标题和摘要"

更新日期:2022-08-05
down
wechat
bug