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MoS2-插层碳异质层键合在石墨烯上作为增强钠/钾离子存储的电极材料
Nano Research ( IF 9.5 ) Pub Date : 2022-07-30 , DOI: 10.1007/s12274-022-4721-8 Laiying Jing , Junwei Sun , Chaoyang Sun , Di Wu , Gang Lian , Deliang Cui , Qilong Wang , Haohai Yu
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更新日期:2022-07-30
Nano Research ( IF 9.5 ) Pub Date : 2022-07-30 , DOI: 10.1007/s12274-022-4721-8 Laiying Jing , Junwei Sun , Chaoyang Sun , Di Wu , Gang Lian , Deliang Cui , Qilong Wang , Haohai Yu
MoS 2具有较高的理论比容量和独特的层状结构,被认为是储能领域的理想电极材料。然而,有限的层间距离和较差的本征导电性限制了其潜在的实际应用。在此,MoS 2单层和 N 掺杂多孔碳 (NC) 层的交替插层结构通过化学插层策略在还原氧化石墨烯 (rGO) 上生长。MoS 2的扩展层间距离(0.96 nm),通过插入 N 掺杂多孔碳层而扩大,可以增强离子扩散迁移率,为离子存储提供额外的反应位点并保持电极结构的稳定性。此外,rGO基板和插层N掺杂碳层之间的分层结构构建了三维(3D)导电网络,可以显着提高导电性和结构稳定性。因此,rGO负载的MoS 2 /NC电极对钠离子电池(SIBs)和钾离子(PIBs)表现出超高的可逆容量和显着的长循环稳定性。同时,所获得的MoS 2 /NC@rGO电极还具有250 mAh·g -1的优异循环性能。当用作钠离子全电池的阳极时,在 0.5 A·g -1下循环 160 次后。
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