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具有 V4SiSb2 型结构的 Nb4SiSb2 超导性的发现以及间隙掺杂对其物理性质的影响
Journal of Materials Chemistry C ( IF 5.7 ) Pub Date : 2022-07-29 , DOI: 10.1039/d2tc01510b
Manuele D Balestra 1, 2 , Omargeldi Atanov 3 , Robin Lefèvre 2 , Olivier Blacque 2 , Yat Hei Ng 3 , Rolf Lortz 3 , Fabian O von Rohr 1
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我们报告了 Nb 4 SiSb 2的发现、结构分析和物理性质，这是一种迄今为止未知的化合物，结晶为 V 4 SiSb 2型结构，具有四方空间群I 4/ mcm和晶胞参数a = 10.3638( 2) 埃和c = 4.9151(2) 埃。我们发现 Nb 4 SiSb 2是一种在T c ≈ 1.6 K 临界温度下经历向超导态转变的金属。通过观察明确的比热不连续性，证实了该材料中超导性的整体性质归一化比热跃变为 Δ C ( T c )/ γT c = 1.33 mJ mol −1 K −2 。我们发现对于Nb 4 SiSb 2 ，4b Wyckoff位置上的未占据位点可以被Cu、Pd或Pt部分占据。低温电阻率测量显示，当 Nb 4 Cu 0.2 SiSb 2的T c ≈ 1.2 K 和T c ≈ 0 时，所有三种化合物都会转变为超导性。Nb 4 Pd 0.2 SiSb 2以及Nb 4 Pt 0.14 SiSb 2为8 K。从此以后，与母体化合物相比，向这些空隙位置添加电子供体原子会降低超导转变温度。
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