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轨道位移引起的大能隙边界阻碍拓扑材料
Advanced Science ( IF 14.3 ) Pub Date : 2022-07-29 , DOI: 10.1002/advs.202202564 Ning Mao 1 , Runhan Li 1 , Ying Dai 1 , Baibiao Huang 1 , Binghai Yan 2 , Chengwang Niu 1
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提出了由普通原子位点之间的万尼尔轨道位移引起的边界阻碍拓扑相，然而，这不能用高对称动量（对称指标）的对称特征值来表示。在开放边界上，万尼尔电荷中心可以转移到与本体原子不同的原子，从而导致带隙表面态、高阶铰链态或角态。为了证明这种轨道移位引起的边界阻塞拓扑绝缘体，预测了八种候选材料，所有这些材料在当前的拓扑数据库中都被忽略了。金属表面态、铰链态或角态覆盖了相关边界处的大块体能隙（例如，TlGaTe 2中大于1 eV），这为实验检测做好了准备。此外，这些材料也是易碎的拓扑绝缘体，具有沙漏状的表面状态。
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