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(PEA)2PbBr4单晶的温度依赖性闪烁特性和机理
Journal of Materials Chemistry C ( IF 5.7 ) Pub Date : 2022-07-27 , DOI: 10.1039/d2tc01483a
Jacob Jasper van Blaaderen 1 , Francesco Maddalena 2 , Cuong Dang 2 , Muhammad Danang Birowosuto 3 , Pieter Dorenbos 1
Affiliation  

在这项工作中,PEA 2 PbBr 4的闪烁特性被研究为温度的函数,了解这些材料在低温应用中的潜在用途。已经使用与温度相关的光致发光发射和激发、X 射线激发发射和衰减测量的组合来研究闪烁特性和机制。在室温下,X 射线激发发射以 442 nm 发射为主,寿命为 35.2 ns。在 UV-Vis 光子激发下,在 412 nm 处观察到一个额外的发射峰。在 10 K 时,X 射线和 UV-Vis 光子激发发射光谱均显示 412 nm 处的窄发射峰和以 525 nm 为中心的宽发射带,寿命分别为 1.53 ns (24%) 和 154 ns (76%)分别。观察到的发射峰的确切性质尚不清楚。出于这个原因,我们探索了两种可能的机制来解释 UV-Vis 光子和 X 射线激发之间的差异及其与温度相关的发射。总光谱强度降低到室温下 10 K 强度的 72%。这表明观察到的负热猝灭行为是由于在 X 射线激发下更多的自吸收和更高程度的自捕获激子形成的组合. 基于在 10 K 下观察到的快速衰减分量和在室温下每 MeV 9400 光子的光产率,在 10 K 下仅显示出 28% 的下降,这可能使这种材料在低温和快速计时应用中具有潜在意义。总光谱强度降低到室温下 10 K 强度的 72%。这表明观察到的负热猝灭行为是由于在 X 射线激发下更多的自吸收和更高程度的自捕获激子形成的组合. 基于在 10 K 下观察到的快速衰减分量和在室温下每 MeV 9400 光子的光产率,在 10 K 下仅显示出 28% 的下降,这可能使这种材料在低温和快速计时应用中具有潜在意义。总光谱强度降低到室温下 10 K 强度的 72%。这表明观察到的负热猝灭行为是由于在 X 射线激发下更多的自吸收和更高程度的自捕获激子形成的组合. 基于在 10 K 下观察到的快速衰减分量和在室温下每 MeV 9400 光子的光产率,在 10 K 下仅显示出 28% 的下降,这可能使这种材料在低温和快速计时应用中具有潜在意义。



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更新日期:2022-07-27
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