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分子在Zn2SnO4(1 1 1)晶面上的吸附行为及其对电导率的影响
Inorganic Chemistry Communications ( IF 4.4 ) Pub Date : 2022-07-25 , DOI: 10.1016/j.inoche.2022.109770
Han Liang , Ziheng Li , Shuang Li , Chunxu Yang , Honglin Li , Yichu Zhang , Jiahui Liu , Xiruo Bai , Jiarui Fang
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更新日期:2022-07-25
Inorganic Chemistry Communications ( IF 4.4 ) Pub Date : 2022-07-25 , DOI: 10.1016/j.inoche.2022.109770
Han Liang , Ziheng Li , Shuang Li , Chunxu Yang , Honglin Li , Yichu Zhang , Jiahui Liu , Xiruo Bai , Jiarui Fang
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研究了Zn 2 SnO 4 (1 1 1)晶面的分子吸附行为。DFT理论模拟结果表明,O 2和H 2 O分子分别与Zn原子和Sn原子结合,形成特征吸附物种,吸附在晶面上。H 2 O分子作为特征吸附物质促进O 2分子以氢键形式自然吸附,N 2分子以物理吸附形式自然吸附。同时,晶体表面电导率随不同气体的吸附和解吸而变化。当吸附剂只有O 2分子,晶体表面电导率降低,费米的DOS为8.00至4.01电子/eV。当H 2 O分子作为特征吸附剂进一步吸附O 2分子时,晶体表面的电导率增加,费米的DOS从5.74到8.51电子/eV。当氧分子直接吸附在Zn 2 SnO 4 (1 1 1)晶面上时,吸附能为+0.79 eV,而当氧分子进一步吸附在Zn 2 SnO 4 (1 1 )晶面上时,吸附能为+0.79 eV。 1)晶面通过水分子,吸附能为+2.71 eV。这一结论得到了 EIS 的证实。丙酮分子的原位拉曼光谱检测气敏实验表明,O 2分子在室温下吸附较慢,在高温下吸附较快,这与O 2分子属于吸热吸附的计算结果一致。结果表明,通过实验与理论相结合的方法,分析了不同气体对晶体表面吸附性能的影响机理。该工作为优化材料的催化和气敏性能,实现材料表面性能的可控优化提供了指导。

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