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铁磁二硫化钴：通往高质量和相纯薄膜的 CVD 途径
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2022-07-21 , DOI: 10.1021/acsaelm.2c00685
Jan-Lucas Wree 1 , Jean-Pierre Glauber 1 , David Zanders 1, 2 , Detlef Rogalla 3 , Malte Becher 4 , Matthew B. E. Griffiths 2 , Andreas Ostendorf 4 , Seán T. Barry 2 , Andreas Ney 5 , Anjana Devi 1
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2022-07-21 , DOI: 10.1021/acsaelm.2c00685
Jan-Lucas Wree 1 , Jean-Pierre Glauber 1 , David Zanders 1, 2 , Detlef Rogalla 3 , Malte Becher 4 , Matthew B. E. Griffiths 2 , Andreas Ostendorf 4 , Seán T. Barry 2 , Andreas Ney 5 , Anjana Devi 1
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黄铁矿型二硫化钴 (CoS 2 ) 是其他稳定的硫化钴相之一，具有有趣的电子和磁性。在此，我们展示了一种定制的金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 途径，用于生长高质量的铁磁 CoS 2薄膜。通过补充分析研究了 CVD 工艺参数对薄膜生长和质量的影响。超导量子干涉装置 (SQUID) 测量证实了纯 CoS 2的存在，其磁矩为 0.85 μ B，居里温度为 128(5) K。我们的研究结果可为大面积 CoS 2用于不同的技术应用。
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更新日期：2022-07-21
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