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多层 MoS2 中缺陷水平的增强排放
Advanced Optical Materials ( IF 8.0 ) Pub Date : 2022-07-10 , DOI: 10.1002/adom.202201059
Yuankun Lin 1, 2 , Evan Hathaway 1 , Fatimah Habis 1 , Yuanxi Wang 1 , Roberto Gonzalez Rodriguez 1 , Khadijah Alnasser 1 , Noah Hurley 1 , Jingbiao Cui 1
Advanced Optical Materials ( IF 8.0 ) Pub Date : 2022-07-10 , DOI: 10.1002/adom.202201059
Yuankun Lin 1, 2 , Evan Hathaway 1 , Fatimah Habis 1 , Yuanxi Wang 1 , Roberto Gonzalez Rodriguez 1 , Khadijah Alnasser 1 , Noah Hurley 1 , Jingbiao Cui 1
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实现二维层半导体缺陷的受激发射有可能提高表征其缺陷的灵敏度。然而，层状材料中缺陷的受激发射在载流子寿命和能级设计方面提出了一系列不同的挑战，目前尚未实现。在这里，光致发光 (PL) 光谱、拉曼光谱和第一性原理理论相结合，揭示了退火多层 MoS 2中缺陷发射峰处的异常 PL 强度-温度关系和强极化效应，表明基于缺陷的受激发射。受激发射行为的出现也是可控的（通过温度）和可逆的。观察到的受激发射行为由一个三能级系统支持，该系统包括两个来自硫属元素空位的缺陷能级和一个来自导带边缘的泵浦能级。第一性原理计算表明，能够实现受激发射的特殊间接间隙不是原始块状 MoS 2所固有的，并且仅在热应变下出现。
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更新日期：2022-07-10
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