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单分子结中交叉共轭系统的量子干涉对分子构型的依赖性
Molecular Systems Design & Engineering ( IF 3.2 ) Pub Date : 2022-07-07 , DOI: 10.1039/d2me00074a
Juan Hurtado-Gallego 1 , Ross Davidson 2 , Iain M. Grace 3 , Laura Rincón-García 1 , Andrei S. Batsanov 2 , Martin R. Bryce 2 , Colin J. Lambert 3 , Nicolás Agraït 1, 4, 5
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我们报告了在中心烯烃位点用侧基(二苯基、9-芴基、9-噻吨或环己基)官能化的七种交叉共轭烯二炔衍生物以及受保护的硫代甲基 (SMe) 或硫代乙酸酯官能化的实验和计算研究硫醇,(SAc) 基团作为锚。电导 ( G ) 和塞贝克系数 ( S ) 的测量)的金|单分子|金结是使用改进的扫描隧道显微镜-断裂结(STM-BJ)技术获得的。结果表明,大多数分子给出了多个电导平台,这归因于结内的不同分子配置。较高的电导平台与芳基悬垂单元与金电极之一相互作用一致,从而避免了电子通过烯二炔系统的传输;较低的电导平台与终端 SMe 或 S 单元都锚定到电极上是一致的。大多数化合物在 3.7-12.7 μV K -1范围内显示S的正值,表明通过 HOMO 的电子传输,而其中一种化合物显示S的负值(-6.2 μV K -1 )表明LUMO在电子传输中的优势。使用密度泛函理论的理论计算表明,在较低电导平台的最高占据和最低未占据分子轨道(HOMO-LUMO 间隙)之间的间隙中存在破坏性量子干涉(DQI)特征,这支持了实验数据中观察到的趋势。



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更新日期:2022-07-07
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