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金属掺杂双重调控和调节MoSe2截止电压实现可逆储钠
Small ( IF 13.0 ) Pub Date : 2022-06-17 , DOI: 10.1002/smll.202200437
Xuejiao Hu 1, 2 , Ruiyu Zhu 1, 2 , Beibei Wang 2, 3 , Xiaojie Liu 1, 2 , Hui Wang 1, 2
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MoSe 2作为一种典型的二维材料,由于层间距离更大、带隙结构更有利、理论比容量高于其他类似物,在钠离子电池(SIBs)中具有巨大的潜力。然而,Mo/Na 2 Se放电产物的低固有电子电导率和不可逆转化为MoSe 严重阻碍了其电化学性能。在此,通过简便的水热法结合煅烧工艺,制备了垂直方向生长在石墨烯衬底上的Sn掺杂的MoSe 纳米片。受益于 MoSe 2 的大量缺陷和扩大的层间距所带来的电子导电性提高源自Sn掺杂,结合在SIBs实际性能测试期间将放电截止电压提高至0.2 V的智能策略,所制备的负极材料在电子/离子转移、可逆等方面具有优异的钠离子存储性能钠储存和循环稳定性。1600 次循环后,可在 1 A g –1下保持 268.5 mAh g –1的超稳定可逆比容量。此外,所获得的纳米复合材料在 SIB 全电池系统中的良好钠储存特性说明了实际潜力。密度泛函理论计算和原位/非原位测量用于进一步揭示钠离子的储存机制和过程。



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更新日期:2022-06-17
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