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MoS2 单层和荧光分子聚集体异质界面处的激子转移
Advanced Science ( IF 14.3 ) Pub Date : 2022-06-16 , DOI: 10.1002/advs.202201875
Soyeong Kwon 1 , Dong Yeun Jeong 2 , Chengyun Hong 3, 4 , Saejin Oh 3, 4 , Jungeun Song 1 , Soo Ho Choi 3 , Ki Kang Kim 3, 4 , Seokhyun Yoon 1 , Taeyoung Choi 1 , Ki-Ju Yee 5 , Ji-Hee Kim 3, 4 , Youngmin You 2 , Dong-Wook Kim 1
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整合不同材料形成异质结构使得能够基于超出组成材料特性的新兴物理现象提出新的功能器件。异质结构的光学响应和电传输特性取决于界面处的电荷和激子转移(CT 和 ET),由界面能级排列决定。在这项工作中,制造了由荧光分子(DY1)聚集体和二维半导体MoS 2单层组成的异质结构。 DY1/MoS 2的光致发光光谱显示DY1发射的猝灭和MoS 2发射的增强,表明这两种材料之间存在很强的电子相互作用。光引起的接触电位差变化的纳米级映射排除了界面处的 CT 过程。使用飞秒瞬态吸收光谱,阐明了从 DY1 聚集体到 MoS 2的快速界面 ET 过程以及 MoS 2中激子寿命的四倍延长。这些结果表明,二维无机半导体与荧光分子的集成可以为基础研究和新型光电器件应用提供设计材料物理特性的通用方法。
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