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用于气体传感器应用的 ZnO 纳米线/TiO2 纳米线/Si 微柱结构的制造
Sensors and Actuators A: Physical ( IF 4.1 ) Pub Date : 2022-06-09 , DOI: 10.1016/j.sna.2022.113665
Jing Liu , Yuanze Xu , Futing Yi

首次在硅(Si)微柱表面制备氧化锌(ZnO)纳米线和二氧化钛(TiO 2 )纳米线结构,成功形成ZnO纳米线/TiO 2纳米线/Si微柱结构。并将这种结构应用于气体传感器。以具有无数微柱的硅晶片为衬底,采用氯化铯(CsCl)自组装光刻和干法刻蚀工艺制作而成。TiO 2纳米线和ZnO纳米线分别通过水热反应制备。从 SEM 图像来看,60 分钟 ZnO 纳米线生长和 3 小时 TiO 2纳米线在 600  nm 平均直径和 3.2 微米高的硅微柱是最适合气体传感器应用的形态。从XRD曲线可以看出,Si微柱表面的ZnO和TiO 2纳米线均具有良好的结晶度。与ZnO纳米线/Si微柱结构相比,ZnO纳米线/TiO 2纳米线/Si微柱无论浓度如何都能提高对乙醇的响应。对于 500 ppm 乙醇,ZnO 纳米线/TiO 2纳米线/Si 微柱的响应约为 76%,远高于 ZnO 纳米线/Si 微柱的 44%。





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更新日期:2022-06-11
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