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磁性 Cr2O3 薄膜中的硼结构演变
Materials Today Physics ( IF 10.0 ) Pub Date : 2022-06-09 , DOI: 10.1016/j.mtphys.2022.100753
Congli Sun , Michael Street , Chenyu Zhang , Gustaaf Van Tendeloo , Wenyu Zhao , Qingjie Zhang
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更新日期:2022-06-09
Materials Today Physics ( IF 10.0 ) Pub Date : 2022-06-09 , DOI: 10.1016/j.mtphys.2022.100753
Congli Sun , Michael Street , Chenyu Zhang , Gustaaf Van Tendeloo , Wenyu Zhao , Qingjie Zhang
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已知 B 在反铁磁 Cr 2 O 3中取代 O会增加 Néel 温度,而由于复杂的局部结构,实际的 B 掺杂位点和相应的功能仍不清楚。在此,结合电子能量损失谱和第一性原理计算,揭示了 B 掺杂 Cr 2 O 3薄膜中的 B 局部结构。发现 B 在 Cr 2 O 3晶格中形成磁性活性 BCr 4四面体或各种非活性 BO 3三角形,具有和键表现出独特的光谱特征。BO 3三角形的识别是通过改变电子动量传递来操纵 1s- 的微分截面来实现的和 1s-过渡。将实验光谱建模为模拟 BK 边缘的线性组合,再现了实验/15-42% 的 B 占据活性 BCr 4结构的比例。基于第一性原理的热力学计算进一步支持了这一结果。
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