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Bi2O2Se 的水平自立生长实现最佳光电特性
Small Methods ( IF 10.7 ) Pub Date : 2022-06-08 , DOI: 10.1002/smtd.202200347
Xiaobin Zou 1 , Yong Sun 1 , Chengxin Wang 1
Small Methods ( IF 10.7 ) Pub Date : 2022-06-08 , DOI: 10.1002/smtd.202200347
Xiaobin Zou 1 , Yong Sun 1 , Chengxin Wang 1
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具有高载流子迁移率的空气稳定二维 Bi 2 O 2 Se 材料似乎是未来微/纳电子学和光电子学的有前途的半导体平台。与大多数二维材料一样，Bi 2 O 2 Se 二维纳米结构通常在原子级平坦的云母基板上形成，其中不希望的缺陷和后续转移过程中的结构损坏将大大降低其光电性能。在这里，提出了一种涉及连续动力学和热力学过程的新合成路线，以在 SiO 2上实现水平自立的 Bi 2 O 2 Se 纳米结构。/Si 基板。更少的缺陷和避免涉及腐蚀性溶剂的转移过程确保了 Bi 2 O 2 Se 纳米结构中本征晶格和能带结构的完整性。与在云母上生长的平面结构相比，它显示出减少的暗电流和改进的光响应性能（开关比、光响应性、响应时间和检测率）。这些结果表明具有最佳光电功能的高质量二维电子纳米结构具有新的潜力。
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更新日期：2022-06-08
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