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ITO-MoS2 的电子态：实验与理论
MRS Communications ( IF 1.8 ) Pub Date : 2021-12-16 , DOI: 10.1557/s43579-021-00126-9
Oscar A. López-Galán , Manuel Ramos , John Nogan , Alejandro Ávila-García , Torben Boll , Martin Heilmaier
MRS Communications ( IF 1.8 ) Pub Date : 2021-12-16 , DOI: 10.1557/s43579-021-00126-9
Oscar A. López-Galán , Manuel Ramos , John Nogan , Alejandro Ávila-García , Torben Boll , Martin Heilmaier
摘要我们将实验结果与密度泛函理论 (DFT) 计算相结合，以了解氧化铟锡和二硫化钼 (ITO-MoS2) 界面的电子结构。我们的结果表明，由于轨道相互作用，ITO 和 MoS2 符合 ca - 1.0 eV 的 n 型肖特基势垒；欧姆接触的形成是由 ITO 的半导体和金属行为作为晶面取向的函数引起的。ITO 在Γ-Μ-Κ-Γ 路径中的所有界面模型中引入了费米能级附近的能级。由此产生的范德华界面和肖特基势垒高度值增强了电子载流子注入。图形概要
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更新日期：2021-12-16
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