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布局相关效应对 FinFET 组合标准单元优化的影响研究
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs ( IF 4.0 ) Pub Date : 5-31-2022 , DOI: 10.1109/tcsii.2022.3179382
Heng Xu 1 , Jun Wang 1 , Hang Xu 1 , Yi Gu 1 , Hao Zhu 1 , Qingqing Sun 1 , David Wei Zhang 1
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随着先进半导体技术中器件集成密度的提高，布局相关效应 (LDE) 已成为影响器件级和电路级性能的关键。在本简报中，我们报告了 LDE 对 14 nm FinFET 组合标准单元的影响研究，以促进设计技术协同优化 (DTCO) 过程。重点关注多晶间距、切割多晶效应、氧化物间距效应和单元高度，实现了典型14纳米FinFET组合标准单元的速度和功耗的改进。基于LDE研究进一步设计和构建了七个标准单元库，实现了具有不同性能、功耗和面积（PPA）偏好的综合应用。这种 DTCO 和已证实的实验结果对于未来在先进技术节点采用丰富的标准单元库的定制设计可能很有吸引力。
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